在半導(dǎo)體制造的精密世界里，硅片膜層厚度的微小偏差都可能導(dǎo)致器件性能衰減甚至失效。傳統(tǒng)接觸式測(cè)量方法因易劃傷晶圓表面、無(wú)法實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)等問(wèn)題，逐漸被非接觸式技術(shù)取代。近紅外光（NIR）憑借其特殊的物理特性，成為硅片厚度測(cè)量儀的核心光源，為芯片制造、光伏產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域提供了兼具速度與精度的解決方案。 
一、穿透性與低吸收：NIR破解多層膜“透明迷宮”
硅片表面常沉積有氧化硅、氮化硅、多晶硅等多層薄膜，傳統(tǒng)可見(jiàn)光易被膜層吸收或反射，導(dǎo)致測(cè)量信號(hào)失真。近紅外光（波長(zhǎng)范圍780-2500nm）的能量較低，能夠穿透0.1-10μm厚度的常見(jiàn)膜層，同時(shí)被硅片基底部分反射。通過(guò)分析反射光中不同波長(zhǎng)的相位差與強(qiáng)度變化，測(cè)量?jī)x可精準(zhǔn)解算出各膜層的幾何厚度。例如，在12英寸晶圓制造中，NIR技術(shù)可同時(shí)檢測(cè)3層薄膜的厚度，單點(diǎn)測(cè)量時(shí)間＜0.1秒，較橢偏儀效率提升5倍。
二、抗干擾設(shè)計(jì)：突破環(huán)境噪聲的“光學(xué)屏障”
生產(chǎn)車(chē)間存在的振動(dòng)、溫度波動(dòng)及背景光干擾，常導(dǎo)致測(cè)量數(shù)據(jù)跳變。NIR測(cè)量?jī)x采用三大核心技術(shù)構(gòu)建抗干擾體系：
1.鎖相放大技術(shù)：通過(guò)調(diào)制光源頻率至kHz級(jí)，濾除低頻噪聲，信噪比提升40dB；
2.共光路干涉結(jié)構(gòu)：將參考光與測(cè)量光共路徑傳輸，消除機(jī)械振動(dòng)引起的光程差誤差；
3.溫度補(bǔ)償算法：實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)環(huán)境溫度，動(dòng)態(tài)修正熱膨脹對(duì)光學(xué)元件的影響。
某光伏企業(yè)實(shí)測(cè)顯示，在車(chē)間溫度波動(dòng)±3℃的條件下，NIR測(cè)量?jī)x的重復(fù)性偏差＜0.3nm，遠(yuǎn)優(yōu)于行業(yè)要求的±1nm標(biāo)準(zhǔn)。
三、全光譜擬合：解鎖復(fù)雜結(jié)構(gòu)的“光學(xué)密碼”
對(duì)于梯度折射率膜層或納米級(jí)粗糙表面，單一波長(zhǎng)測(cè)量易產(chǎn)生系統(tǒng)誤差。NIR測(cè)量?jī)x搭載全光譜掃描模塊（覆蓋800-1700nm），可獲取數(shù)百個(gè)波長(zhǎng)點(diǎn)的反射光譜，并通過(guò)機(jī)器學(xué)習(xí)模型擬合出厚度分布。在3D NAND閃存堆疊結(jié)構(gòu)檢測(cè)中，該技術(shù)成功識(shí)別出層間5nm級(jí)的厚度異常，幫助廠商將產(chǎn)品良率從82%提升至91%。
目前，NIR硅片厚度測(cè)量?jī)x已覆蓋從研發(fā)到量產(chǎn)的全流程，其測(cè)量數(shù)據(jù)與TEM截面分析的吻合度達(dá)99.2%。隨著EUV光刻、異質(zhì)集成等先進(jìn)制程的推進(jìn)，這項(xiàng)“光學(xué)標(biāo)尺”技術(shù)正持續(xù)拓展人類(lèi)對(duì)微觀世界的認(rèn)知邊界。
